2025-02-05长鑫科技申请半导体结构及制备方法专利，提高半导体结构对高频电源噪声的抑制效果

金融界2025年1月31日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及半导体结构的制备方法”的专利，公开号CN 119384218 A，申请日期为2024年11月。 专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及半导体结构的制备方法，涉及半导体技术领域。该半导体结构，包括：衬底，衬底具有相对的第一表面和第二表面，衬底包括第一区域和第二区域；第一导电柱，第一导电柱位于衬底的第一区域内，且贯穿衬底；通孔电容，通孔电容位于衬底的第二区域内；其中，通孔电容包括：第二导电...